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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

王文娟 王海龙 龚谦 宋志棠 汪辉 封松林

外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

王文娟, 王海龙, 龚谦, 宋志棠, 汪辉, 封松林
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  • 在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响. 结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60976015,61176065)、山东省自然科学基金(批准号:ZR2010FM023)和信息功能材料国家重点实验开放课题资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-07-25
  • 修回日期:  2013-09-02
  • 刊出日期:  2013-12-05

外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

  • 1. 山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 曲阜师范大学物理系, 曲阜 273165;
  • 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050;
  • 3. 中国科学院上海高等研究院, 上海 201203
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60976015,61176065)、山东省自然科学基金(批准号:ZR2010FM023)和信息功能材料国家重点实验开放课题资助的课题.

摘要: 在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响. 结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.

English Abstract

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