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具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

李春来 段宝兴 马剑冲 袁嵩 杨银堂

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

李春来, 段宝兴, 马剑冲, 袁嵩, 杨银堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-03-31
  • 修回日期:  2015-04-16
  • 刊出日期:  2015-08-20

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    陕西省科技统筹创新工程计划(批准号: DF0105142502)、国家重点基础研究发展计划(批准号: 2014CB339900, 2015CB351906)和国家自然科学基金重点项目(批准号: 61234006, 61334002)资助的课题.

摘要: 为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.

English Abstract

参考文献 (18)

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