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反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性

吴现成 王印月

反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性

吴现成, 王印月
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-03-26
  • 修回日期:  1998-07-30
  • 刊出日期:  1999-01-20

反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性

  • 1. 兰州大学物理系,兰州 730001
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69676005)资助的课题.

摘要: 利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiCxNy∶H),通过红外透射谱(IR),光吸收谱[α(λ)],电子自旋共振谱(ESR)和电导率(σ)等测试手段,研究了薄膜的结构和光电特性.在固定甲烷流量γCH4=3%,氢气流量γH2=12%的情况下,改变氮气流量γN2=(0—14)%,综合研究了暗电导率σd<

English Abstract

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