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40 nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模

王军 王林 王丹丹

引用本文:
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40 nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模

王军, 王林, 王丹丹

Frequency and bias dependent modeling of induced gate noise and cross-correlation noise in 40 nm metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Wang Jun, Wang Lin, Wang Dan-Dan
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-06-06
  • 修回日期:  2016-08-30
  • 刊出日期:  2016-12-05

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