搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

蒋 乐 杨德仁 余学功 马向阳 徐 进 阙端麟

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

蒋 乐, 杨德仁, 余学功, 马向阳, 徐 进, 阙端麟
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2657
  • PDF下载量:  849
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-08-07
  • 修回日期:  2002-11-18
  • 刊出日期:  2003-04-05

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

  • 1. 浙江大学硅材料科学国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50032010,60225010)资助的课题.

摘要: 研究了掺氮直拉硅单晶(NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退 火后,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷(BMD)密度与高温形核时间的变化关系 ,同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后 氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用,在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应 的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体(N-V-O)促进了氧沉淀的形核 ,而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状,周围存在应力场.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回