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应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

徐波 余庆选 吴气虹 廖源 王冠中 方容川

应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

徐波, 余庆选, 吴气虹, 廖源, 王冠中, 方容川
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-02-12
  • 修回日期:  2003-04-07
  • 刊出日期:  2004-01-15

应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

  • 1. 中国科学技术大学结构分析中心,合肥 230026;中国科学技术大学物理系,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176024)和安徽省自然科学基金(批准号:01044701)资助的课题.

摘要: 对化学气相沉积(MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光(PL)光谱进行了测量,用Raman光谱和x射线衍射(XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律.

English Abstract

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