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纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性

纪爱玲 马利波 刘 澂 王永谦

纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性

纪爱玲, 马利波, 刘 澂, 王永谦
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-01-09
  • 修回日期:  2004-03-18
  • 刊出日期:  2004-11-16

纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性

  • 1. 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2002CB613505 和2003AA302170) 及国家自然科学基金委员会优秀研究群体研究项目(批准号:10134030)资助的课题.

摘要: 用等离子体增强化学气相沉积法在低温(低于50℃)衬底上沉积Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜,可得到平均颗粒尺寸小至3nm的高密度(最高可达4.0×1012cm-2)纳米硅复合薄膜.500℃快速退火后,这种复 合薄膜显现出优异的可见光全波段光致发光特性.通过比较相同条件下所制备的纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的光致发光效率,发现纳米Si-SiNx具有更为优异 的光致发光效率,这一点在可见光短波区表现得尤为显著.

English Abstract

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