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多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

徐大印 刘彦平 何志巍 方泽波 刘雪芹 王印月

多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

徐大印, 刘彦平, 何志巍, 方泽波, 刘雪芹, 王印月
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-23
  • 修回日期:  2004-01-02
  • 刊出日期:  2004-04-05

多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50272027)资助的课题.

摘要: 在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC:Tb薄膜. 对样品在N2中进行了不同温度的退火处理. 用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象.分析了产生这种现象的机理,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的,而可见区的发光是由于Tb离子产生的.

English Abstract

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