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In-Si(111)界面上的电荷转移及铟原子的表面电致迁移现象

周均铭

In-Si(111)界面上的电荷转移及铟原子的表面电致迁移现象

周均铭
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-04-22
  • 刊出日期:  2005-07-21

In-Si(111)界面上的电荷转移及铟原子的表面电致迁移现象

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 用反射式高能电子衍射仪首次观察到在Si(111)面上的一部分铟吸附原子在直流电场下,沿电场方向发生迁移的现象——表面电致迁移。根据所观察到的表面电致迁移过程,可以把吸附在Si(111)面上的铟原子的结合状态分成两类:紧靠着硅表面的一个单原子层铟与硅表面结合牢固,几乎不受电场影响,称为紧固层;在紧固层以上的铟层易受电场影响而发生表面电致迁移,称为迁移层。从铟原子的表面电致迁移率与温度的关系,求得表面质量迁移的激活能为0.43eV。用表面电导测量研究了In-Si(111)界面形成过程中的电荷转移现象。结果表明,吸附在硅表面的铟原子形成表面深施主能级。导致表面电致迁移的力是离化了的铟原子在电场中所受到的库仑力。

English Abstract

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