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关于GaAs的低迁移率问题

周炳林 陈正秀

关于GaAs的低迁移率问题

周炳林, 陈正秀
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-03-12
  • 刊出日期:  2005-03-28

关于GaAs的低迁移率问题

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobilitykiller)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。

English Abstract

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