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嵌埋在SiO2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

贺振宏 陈坤基 冯端

嵌埋在SiO2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

贺振宏, 陈坤基, 冯端
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-07-22
  • 修回日期:  1996-09-23
  • 刊出日期:  1997-06-20

嵌埋在SiO2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

  • 1. 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

摘要: 采用等离子体化学汽相淀积技术生长a-GexSi1-x∶H薄膜,然后在800℃,105Pa下于传统开口管式炉中氧化热处理,制备嵌埋在SiO2中的nc-Ge微晶粒.利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和X射线衍射谱分析样品的微结构,研究a-GexSi1-x∶H薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化,并用平衡态化学反应热理论加以解释.在某些样品中观察到室温下的光致发光现象,采用Brus电

English Abstract

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