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张应变In1-xGaxAsyP1-y/InP材料光致荧光谱温度特性的测试与分析

丁国庆

张应变In1-xGaxAsyP1-y/InP材料光致荧光谱温度特性的测试与分析

丁国庆
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-09-02
  • 修回日期:  1997-12-19
  • 刊出日期:  1998-09-20

张应变In1-xGaxAsyP1-y/InP材料光致荧光谱温度特性的测试与分析

  • 1. 邮电部武汉邮电科学研究院,武汉 430074

摘要: 报道了具有2,3个量子阱的In1-x1Gax1Asy1P1-y1/In1-x2Gax2Asy2P1-y2/InP张应变量子阱材料的光致荧光谱和X射线双晶衍射摇

English Abstract

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