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界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响

汤晓燕 张义门 张玉明

界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响

汤晓燕, 张义门, 张玉明
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-28
  • 修回日期:  2001-07-31
  • 刊出日期:  2002-04-20

界面态电荷对6H碳化硅N沟MOSFET阈值电压和跨导的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
    基金项目: 

    国防科技预研基金项目 (批准号 :OOJ11 2 1 DZ0 1)~~

摘要: 针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化,分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨导的影响.结果显示界面态密度的不均匀分布不仅使阈值电压增大,而且还会导致器件跨导变低,它是影响SiCMOSFET特性的一个重要因素

English Abstract

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