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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

余晨辉 王 茺 龚 谦 张 波 陆 卫

InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

余晨辉, 王 茺, 龚 谦, 张 波, 陆 卫
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  • 运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10474107)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-01
  • 修回日期:  2006-03-20
  • 刊出日期:  2006-09-20

InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10474107)资助的课题.

摘要: 运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.

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