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ITO退火对GaN基LED电学特性的影响

刘建朋 朱彦旭 郭伟玲 闫微微 吴国庆

ITO退火对GaN基LED电学特性的影响

刘建朋, 朱彦旭, 郭伟玲, 闫微微, 吴国庆
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  • 近些年来,越来越多的发光二极管采用铟锡氧化物(ITO)作为电流扩展层,但是如果不对其进行任何处理,得到的发光二极管的电学特性很差,要得到好的电学特性需要对长有铟锡氧化物的发光二极管进行退火处理.针对不同的退火时间和退火温度对发光二极管的电学特性影响不同的问题,通过测量不同条件下退火得到的发光二极管的理想因子和串联电阻, 根据Shah等人提出的模型进行分析,推测出铟锡氧化物和P型氮化镓的接触特性.结果表明:发光二极管的电学特性开始随着退火温度的升高和时间的增加到达一个优值,如果继续增加温度或者时间都会导致发光二极管电学特性的下降.这样有利于优化退火温度和时间, 得到电学性能较好的器件.
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    Schubert E F 2006 Light-Emitting Diode (2nd Ed.) (New York:Cambridge University Press) pp63–69

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    Xue S, Han Y J, Luo Y 2006 Semiconductor Opt. Electronics 27164 (in Chinese) [薛松, 韩彦军, 罗毅 2006 半导体光电 27 164]

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    Zhao D S, Zhang S M, Zhu J J, Zhao D G, Duan L H, Zhang B S,Yang H 2007 J. Semiconductors 28 545 (in Chinese) [赵德胜, 张书明,朱建军,赵德刚,段俐宏,张宝顺,杨辉 2007 半导体学报 28 545]

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    Guo D B, Liang M, Fan M N, Shi H W, Liu Z Q, Wang G H,Wang L C 2007 Chinese Journal of Semiconductors 28 1811 (inChinese) [郭德博,梁萌, 范曼宁,师宏伟,刘志强,王国宏,王良臣 2007半导体学报 28 1811]

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    Chang K M, Chu J Y, Cheng C C 2005 Solid-State Electronics 491381

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    Chang K M, Chu J Y, Cheng C C 2005 Solid-State Electronics 491381

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-07
  • 修回日期:  2012-04-13
  • 刊出日期:  2012-07-05

ITO退火对GaN基LED电学特性的影响

  • 1. 北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京 100124

摘要: 近些年来,越来越多的发光二极管采用铟锡氧化物(ITO)作为电流扩展层,但是如果不对其进行任何处理,得到的发光二极管的电学特性很差,要得到好的电学特性需要对长有铟锡氧化物的发光二极管进行退火处理.针对不同的退火时间和退火温度对发光二极管的电学特性影响不同的问题,通过测量不同条件下退火得到的发光二极管的理想因子和串联电阻, 根据Shah等人提出的模型进行分析,推测出铟锡氧化物和P型氮化镓的接触特性.结果表明:发光二极管的电学特性开始随着退火温度的升高和时间的增加到达一个优值,如果继续增加温度或者时间都会导致发光二极管电学特性的下降.这样有利于优化退火温度和时间, 得到电学性能较好的器件.

English Abstract

参考文献 (12)

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