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高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

吴渊渊 郑新和 王海啸 甘兴源 文瑜 王乃明 王建峰 杨辉

高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

吴渊渊, 郑新和, 王海啸, 甘兴源, 文瑜, 王乃明, 王建峰, 杨辉
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  • 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1-xN (x ≤ 0.2) 外延薄膜. 生长温度为580 ℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2) 面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒, 背景电子浓度为3.96× 1018/cm3. 在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零, 即Ga并没有全部并入外延层; 另外, 稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-03
  • 修回日期:  2012-12-25
  • 刊出日期:  2013-04-05

高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

  • 1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100080

摘要: 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1-xN (x ≤ 0.2) 外延薄膜. 生长温度为580 ℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2) 面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒, 背景电子浓度为3.96× 1018/cm3. 在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零, 即Ga并没有全部并入外延层; 另外, 稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.

English Abstract

参考文献 (23)

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