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基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si3N4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究

李淑萍 张志利 付凯 于国浩 蔡勇 张宝顺

基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si3N4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究

李淑萍, 张志利, 付凯, 于国浩, 蔡勇, 张宝顺
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  • 通过对低压化学气相沉积(LPCVD)系统进行改造,实现在沉积Si3N4薄膜前的原位等离子体氮化处理,氮等离子体可以有效地降低器件界面处的氧含量和悬挂键,从而获得了较低的LPCVD-Si3N4/GaN界面态,通过这种技术制作的MIS-HEMTs器件,在扫描栅压范围VG-sweep=(-30 V,+24 V)时,阈值回滞为186 mV,据我们所知为目前高扫描栅压VG+(20 V)下的最好结果.动态测试表明,在400 V关态应力下,器件的导通电阻仅仅上升1.36倍(关态到开态的时间间隔为100 ups).
      通信作者: 张宝顺, Bszhang2006@sinano.ac.cn
    • 基金项目: 江苏省重点研发计划(批准号:BE2013002-2)、国家重点研发计划(批准号:2016YFC0801203)、江苏省重点研究与发展计划(批准号:BE2016084)、国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11404372)和国家重点研发计划重大科学仪器设备开发专项(批准号:2013YQ470767)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-04-24
  • 修回日期:  2017-07-10
  • 刊出日期:  2017-10-05

基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si3N4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究

  • 1. 苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院, 苏州 215123;
  • 2. 中国科学院大学, 苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123
  • 通信作者: 张宝顺, Bszhang2006@sinano.ac.cn
    基金项目: 

    江苏省重点研发计划(批准号:BE2013002-2)、国家重点研发计划(批准号:2016YFC0801203)、江苏省重点研究与发展计划(批准号:BE2016084)、国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11404372)和国家重点研发计划重大科学仪器设备开发专项(批准号:2013YQ470767)资助的课题.

摘要: 通过对低压化学气相沉积(LPCVD)系统进行改造,实现在沉积Si3N4薄膜前的原位等离子体氮化处理,氮等离子体可以有效地降低器件界面处的氧含量和悬挂键,从而获得了较低的LPCVD-Si3N4/GaN界面态,通过这种技术制作的MIS-HEMTs器件,在扫描栅压范围VG-sweep=(-30 V,+24 V)时,阈值回滞为186 mV,据我们所知为目前高扫描栅压VG+(20 V)下的最好结果.动态测试表明,在400 V关态应力下,器件的导通电阻仅仅上升1.36倍(关态到开态的时间间隔为100 ups).

English Abstract

参考文献 (21)

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