搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

跳跃机构与低渗杂半导体杂质电导

霍裕平

引用本文:
Citation:

跳跃机构与低渗杂半导体杂质电导

霍裕平

HOPPING PROCESS AND IMPURITY CONDUCTION IN VALENCE SEMICONDUCTORS

HO YU-PING
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5475
  • PDF下载量:  541
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1963-02-15
  • 刊出日期:  1963-06-05

跳跃机构与低渗杂半导体杂质电导

摘要: 在渗杂度很低时,由于少数杂质电离后引起场的起伏,电子在杂质上主要处于局域状态,电声子作用使电子能够在不同杂质上跳跃,但由于电子坐标算符与电声子作用交换,在电场中电子的运动实际上是一种击穿效应,而由声子束补偿能量。针对低补偿情况,略去复杂能带结构,我们由刘维方程出发,把密度矩阵对电场,然后对电声子作用展开,得到电流表达式及密度矩阵对角元所满足的玻茲曼型方程.只取到重迭积分二次项,我们得到了Miller等的网络方程,可以简单地求出平均阻抗,在低温极限下,得到σ~e(-βε(Be-1.54(rd/a)3/2))NA1/8,βε3=βe2/(εrd) -1.93(βEA)3/4。借助网络模型,我们分析了密度矩阵各部分的贡献,特别是与通常输运过程的差别。最后利用Anderson的结果,若K-2,在对电导起主要作用的链上,在Ge,Si中浓度要在1014及1016cm-3以下才能形成局域态,我们认为,考虑了电子间库仑作用后,载流子非局域并不与目前实验矛盾。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回