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氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

蒋柏林 盛世雄 肖治纲 包剑英

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氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

蒋柏林, 盛世雄, 肖治纲, 包剑英

MECHANISM OF THE FORMATION OF THE DEFECTS DURING HEAT TREATMENT IN SINGLE SILICON CRYSTAL GROWN BY FLOATING ZONE METHOD UNDER PURE HYDROGEN

JIANG BAI-LIN, SHENG SHI-XIONG, XIAO ZHI-GANG, BAO JIAN-YING
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-11-22
  • 刊出日期:  1980-05-05

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