[1] |
罗长维, 仇猛淋, 王广甫, 王庭顺, 赵国强, 华青松. 利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化. 物理学报,
2020, 69(10): 102901.
doi: 10.7498/aps.69.20200029
|
[2] |
吉川, 徐进. 点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p+ 外延片中铜沉淀的影响. 物理学报,
2012, 61(23): 236102.
doi: 10.7498/aps.61.236102
|
[3] |
张洪华, 张崇宏, 李炳生, 周丽宏, 杨义涛, 付云翀. 碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究. 物理学报,
2009, 58(5): 3302-3308.
doi: 10.7498/aps.58.3302
|
[4] |
王 博, 赵有文, 董志远, 邓爱红, 苗杉杉, 杨 俊. 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷. 物理学报,
2007, 56(3): 1603-1607.
doi: 10.7498/aps.56.1603
|
[5] |
汤学峰, 顾 牡, 童宏勇, 梁 玲, 姚明珍, 陈玲燕, 廖晶莹, 沈炳浮, 曲向东, 殷之文, 徐炜新, 王景成. 掺镧PbWO4闪烁晶体的缺陷研究. 物理学报,
2000, 49(10): 2007-2010.
doi: 10.7498/aps.49.2007
|
[6] |
周维亚, 解思深, 王刚, 钱生法, 毛建民, 丁雪舟, 李楠, 傅春生. C60单晶的表面形貌与生长缺陷. 物理学报,
1996, 45(3): 470-479.
doi: 10.7498/aps.45.470
|
[7] |
卢武星, R.J.Schreatelkamp, J.R.Liefting, F.W.Saris. 高能重离子注入Si中缺陷的抑制. 物理学报,
1995, 44(7): 1101-1107.
doi: 10.7498/aps.44.1101
|
[8] |
许强, 王建宝, 袁健, 陆昉, 孙恒慧. 重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究. 物理学报,
1995, 44(3): 432-438.
doi: 10.7498/aps.44.432
|
[9] |
袁健, 陆昉, 孙恒慧, 卫星, 杨敏, 黄大鸣, 徐宏来, 沈鸿烈, 邹世昌. 快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性. 物理学报,
1994, 43(7): 1137-1143.
doi: 10.7498/aps.43.1137
|
[10] |
李明, 麦振洪, 崔树范. 用Pendell?sung条纹研究硅单晶中微缺陷. 物理学报,
1994, 43(1): 78-83.
doi: 10.7498/aps.43.78
|
[11] |
李晓雷, 陆昉, 孙恒慧, 黄庆红. 低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究. 物理学报,
1992, 41(6): 985-991.
doi: 10.7498/aps.41.985
|
[12] |
高愈尊, 大贯惣明, 高桥平七郎, 佐藤義一, 竹山太郎. 氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响. 物理学报,
1988, 37(1): 152-156.
doi: 10.7498/aps.37.152
|
[13] |
段沛;高萍;唐基友. 直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究. 物理学报,
1987, 36(8): 986-991.
doi: 10.7498/aps.36.986
|
[14] |
何贤昶. 硅单晶氢致缺陷分布的实验研究. 物理学报,
1984, 33(5): 694-695.
doi: 10.7498/aps.33.694
|
[15] |
麦振洪, 崔树范, 林健, 吕岩. 氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究. 物理学报,
1984, 33(7): 921-926.
doi: 10.7498/aps.33.921
|
[16] |
高愈尊. 退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究. 物理学报,
1984, 33(6): 840-844.
doi: 10.7498/aps.33.840
|
[17] |
麦振洪, 崔树范, 傅全贵, 林汝淦, 张金福. 直拉硅单晶原生微缺陷的观察. 物理学报,
1983, 32(5): 685-688.
doi: 10.7498/aps.32.685
|
[18] |
杨传铮, 朱建生. 含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究. 物理学报,
1982, 31(3): 278-284.
doi: 10.7498/aps.31.278
|
[19] |
郭常霖, 黄月鸿, 范世骥. 合成氟金云母单晶缺陷的X射线研究. 物理学报,
1980, 29(4): 461-468.
doi: 10.7498/aps.29.461
|
[20] |
蒋柏林, 盛世雄, 肖治纲, 包剑英. 氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理. 物理学报,
1980, 29(10): 1283-1292.
doi: 10.7498/aps.29.1283
|