| [1] |
王伟, 柳伟, 谢森, 葛浩然, 欧阳雨洁, 张程, 华富强, 张敏, 唐新峰. MnTe单晶薄膜的外延制备、本征点缺陷结构及电输运优化. 物理学报,
2022, 71(13): 137102.
doi: 10.7498/aps.71.20212350
|
| [2] |
薛源, 郜超军, 谷锦华, 冯亚阳, 杨仕娥, 卢景霄, 黄强, 冯志强. 薄膜硅/晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究. 物理学报,
2013, 62(19): 197301.
doi: 10.7498/aps.62.197301
|
| [3] |
周昕杰, 李蕾蕾, 周毅, 罗静, 于宗光. 辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析. 物理学报,
2012, 61(20): 206102.
doi: 10.7498/aps.61.206102
|
| [4] |
余志强. 硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究. 物理学报,
2012, 61(21): 217102.
doi: 10.7498/aps.61.217102
|
| [5] |
陈城钊, 郑元宇, 黄诗浩, 李成, 赖虹凯, 陈松岩. 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长. 物理学报,
2012, 61(7): 078104.
doi: 10.7498/aps.61.078104
|
| [6] |
许晟瑞, 张进城, 李志明, 周小伟, 许志豪, 赵广才, 朱庆伟, 张金凤, 毛维, 郝跃. 金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究. 物理学报,
2009, 58(8): 5705-5708.
doi: 10.7498/aps.58.5705
|
| [7] |
席光义, 任 凡, 郝智彪, 汪 莱, 李洪涛, 江 洋, 赵 维, 韩彦军, 罗 毅. AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响. 物理学报,
2008, 57(11): 7238-7243.
doi: 10.7498/aps.57.7238
|
| [8] |
初瑞清, 徐志军, 李国荣, 曾华荣, 余寒峰, 邵 鑫, 罗豪甦, 殷庆瑞. 钛酸钡单晶沿垂直解理面方向的超高压电响应的研究. 物理学报,
2005, 54(2): 935-938.
doi: 10.7498/aps.54.935
|
| [9] |
孙贤开, 林碧霞, 朱俊杰, 张 杨, 傅竹西. LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响. 物理学报,
2005, 54(6): 2899-2903.
doi: 10.7498/aps.54.2899
|
| [10] |
韩大星, 王万录, 张 智. 非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布. 物理学报,
1999, 48(8): 1484-1490.
doi: 10.7498/aps.48.1484
|
| [11] |
康俊勇, 黄启圣, 小川智哉. GaN外延层中的缺陷研究. 物理学报,
1999, 48(7): 1372-1380.
doi: 10.7498/aps.48.1372
|
| [12] |
陆昉, 龚大卫, 孙恒慧. 同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究. 物理学报,
1994, 43(7): 1129-1136.
doi: 10.7498/aps.43.1129
|
| [13] |
吴凤美, 汪春, 唐杰, 龚邦瑞. n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究. 物理学报,
1988, 37(7): 1203-1208.
doi: 10.7498/aps.37.1203
|
| [14] |
胡永军, 林彰达, 王昌衡, 谢侃. 助催化剂Co与单晶MoS2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用. 物理学报,
1986, 35(11): 1447-1456.
doi: 10.7498/aps.35.1447
|
| [15] |
吴凤美, 赖启基, 沈波, 周国泉. 电子辐照硅层中缺陷能级的研究. 物理学报,
1986, 35(5): 638-642.
doi: 10.7498/aps.35.638
|
| [16] |
徐至中, 戴道宣, 邹惠良. Si(111)解理面氧吸附后Si L2,3VV俄歇谱形的分析. 物理学报,
1985, 34(1): 32-38.
doi: 10.7498/aps.34.32
|
| [17] |
麦振洪, 崔树范, 傅全贵, 林汝淦, 张金福. 直拉硅单晶原生微缺陷的观察. 物理学报,
1983, 32(5): 685-688.
doi: 10.7498/aps.32.685
|
| [18] |
郭常霖. β—SiC外延层中晶体缺陷的观察. 物理学报,
1982, 31(11): 1526-1533.
doi: 10.7498/aps.31.1526
|
| [19] |
刘振茂, 王贵华, 洪晶, 叶以正. 硅中位错增殖的实验观察. 物理学报,
1966, 22(9): 1077-1097.
doi: 10.7498/aps.22.1077
|
| [20] |
光学教研组光电记录组. 中型石英攝谱仪加装光电直讀设备及分析铝合金的初步工作报告. 物理学报,
1959, 15(6): 318-324.
doi: 10.7498/aps.15.318
|
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