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AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

席光义 任 凡 郝智彪 汪 莱 李洪涛 江 洋 赵 维 韩彦军 罗 毅

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AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

席光义, 任 凡, 郝智彪, 汪 莱, 李洪涛, 江 洋, 赵 维, 韩彦军, 罗 毅

Influence of pit defects on AlGaN surface and dislocation defects in GaN buffer layer on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs

Xi Guang-Yi, Ren Fan, Hao Zhi-Biao, Wang Lai, Li Hong-Tao, Jiang Yang, Zhao Wei, Han Yan-Jun, Luo Yi
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-24
  • 修回日期:  2008-06-06
  • 刊出日期:  2008-11-20

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