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金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究

许晟瑞 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维 郝跃

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金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究

许晟瑞, 张进城, 李志明, 周小伟, 许志豪, 赵广才, 朱庆伟, 张金凤, 毛维, 郝跃

The triangular pits eliminate of (1120) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition

Xu Sheng-Rui, Zhang Jin-Cheng, Li Zhi-Ming, Zhou Xiao-Wei, Xu Zhi-Hao, Zhao Guang-Cai, Zhu Qing-Wei, Zhang Jin-Feng, Mao Wei, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-04
  • 修回日期:  2008-12-09
  • 刊出日期:  2009-04-05

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