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金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究

许晟瑞 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维 郝跃

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金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究

许晟瑞, 张进城, 李志明, 周小伟, 许志豪, 赵广才, 朱庆伟, 张金凤, 毛维, 郝跃

The triangular pits eliminate of (1120) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition

Xu Sheng-Rui, Zhang Jin-Cheng, Li Zhi-Ming, Zhou Xiao-Wei, Xu Zhi-Hao, Zhao Guang-Cai, Zhu Qing-Wei, Zhang Jin-Feng, Mao Wei, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-04
  • 修回日期:  2008-12-09
  • 刊出日期:  2009-04-05

金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 国家自然科学基金重点项目 (批准号: 60736033)和国家科技重大专项 (批准号: 2008ZX01002)资助的课题.

摘要: 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料. 用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(1120)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.

English Abstract

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