搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析

周昕杰 李蕾蕾 周毅 罗静 于宗光

引用本文:
Citation:

辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析

周昕杰, 李蕾蕾, 周毅, 罗静, 于宗光

Back-gate bias effect on partially depleted SOI/MOS back-gate performances under radiation condition

Zhou Xin-Jie, Li Lei-Lei, Zhou Yi, Luo Jing, Yu Zong-Guang
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  7276
  • PDF下载量:  552
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-07
  • 修回日期:  2012-04-05
  • 刊出日期:  2012-10-05

/

返回文章
返回