[1] |
邓文娟, 朱斌, 王壮飞, 彭新村, 邹继军. 变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性. 物理学报,
2022, 71(15): 157901.
doi: 10.7498/aps.71.20220244
|
[2] |
张鑫源, 胡以华, 谌诗洋, 方佳节, 王一程, 刘一凡, 韩飞. 公里级激光反射层析实验和碎片质心估计. 物理学报,
2022, 71(11): 114205.
doi: 10.7498/aps.71.20220205
|
[3] |
黄亚平, 云峰, 丁文, 王越, 王宏, 赵宇坤, 张烨, 郭茂峰, 侯洵, 刘硕. Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率. 物理学报,
2014, 63(12): 127302.
doi: 10.7498/aps.63.127302
|
[4] |
陈鑫龙, 赵静, 常本康, 徐源, 张益军, 金睦淳, 郝广辉. 指数掺杂反射式GaAlAs和GaAs光电阴极比较研究. 物理学报,
2013, 62(3): 037303.
doi: 10.7498/aps.62.037303
|
[5] |
冯现徉, 逯瑶, 蒋雷, 张国莲, 张昌文, 王培吉. In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究. 物理学报,
2012, 61(5): 057101.
doi: 10.7498/aps.61.057101
|
[6] |
牛军, 杨智, 常本康, 乔建良, 张益军. 反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率模型研究. 物理学报,
2009, 58(7): 5002-5006.
doi: 10.7498/aps.58.5002
|
[7] |
宋禹忻, 俞重远, 刘玉敏. 沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析. 物理学报,
2008, 57(4): 2399-2403.
doi: 10.7498/aps.57.2399
|
[8] |
刘玉敏, 俞重远, 杨红波, 黄永箴. InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响. 物理学报,
2006, 55(10): 5023-5029.
doi: 10.7498/aps.55.5023
|
[9] |
倪海桥, 徐晓华, 张纬, 徐应强, 牛智川, 吴荣汉. N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响. 物理学报,
2004, 53(5): 1474-1482.
doi: 10.7498/aps.53.1474
|
[10] |
赵建林, 杨德兴. 圆柱体的空间圆锥光反射、折射与衍射. 物理学报,
2002, 51(9): 1972-1977.
doi: 10.7498/aps.51.1972
|
[11] |
王小军, 金星, 张子平, 郑联喜, 肖智博, 胡雄伟, 王启明. 超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异. 物理学报,
1997, 46(9): 1808-1816.
doi: 10.7498/aps.46.1808
|
[12] |
茅惠兵, 陆卫, 马朝晖, 张家明, 姜山, 沈学础. GaAs/AlGaAs Fibonacci准周期超晶格带间跃迁的光谱研究. 物理学报,
1995, 44(10): 1588-1594.
doi: 10.7498/aps.44.1588
|
[13] |
安忠, 李占杰, 姚凯伦. Na掺杂反式聚乙炔中的孤子晶格的能谱与电子束缚态. 物理学报,
1994, 43(9): 1502-1506.
doi: 10.7498/aps.43.1502
|
[14] |
李岱青, 宫宝安, 万亚, 朱沛然, 周俊思, 徐天冰, 穆善明, 赵清太, 王忠烈. 1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究. 物理学报,
1994, 43(8): 1311-1317.
doi: 10.7498/aps.43.1311
|
[15] |
李建华, 麦振洪, 崔树范. 应变弛豫InGaAs/GaAs超晶格的X射线双晶衍射及形貌研究. 物理学报,
1993, 42(9): 1485-1490.
doi: 10.7498/aps.42.1485
|
[16] |
潘士宏, 王忠和, 黄硕, 张存洲, 周小川, 徐贵昌, 蒋健, 陈忠圭. 掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱. 物理学报,
1993, 42(11): 1879-1886.
doi: 10.7498/aps.42.1879
|
[17] |
. GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究. 物理学报,
1992, 41(4): 661-667.
doi: 10.7498/aps.41.661
|
[18] |
范卫军, 夏建白. 交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构. 物理学报,
1990, 39(9): 1465-1472.
doi: 10.7498/aps.39.1465
|
[19] |
潘少华, 陈正豪, 冯思民, 崔大复, 杨国桢. GaAs/AlxGa1-xAs超晶格子带间光跃迁的研究. 物理学报,
1990, 39(12): 2011-2018.
doi: 10.7498/aps.39.2011
|
[20] |
王树林, 程如光. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的掺杂效应. 物理学报,
1988, 37(7): 1119-1123.
doi: 10.7498/aps.37.1119
|