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磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运

郭 永 顾秉林 川添良幸

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磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运

郭 永, 顾秉林, 川添良幸

TUNNELING TRANSPORT OF TWO-DIMENSIONAL SPIN-ELECTRONS THROUGH MAGNETIC QUANTUM S TRUCTURES

GUO YONG, GU BING-LIN, YOSHIYUKI KAWAZOE
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-19
  • 修回日期:  2000-04-24
  • 刊出日期:  2000-09-20

磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运

  • 1. (1)清华大学物理系,北京 100084; (2)日本东北大学金属材料研究所,仙台980-8577
    基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:715-010-0011)和清华大学基础性科研基金(批准号:98J C082)资助的课题.

摘要: 研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质. 结果表明电子自旋 输运的性质不仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢, 而且取决于偏置电压. 在零偏压下, 由等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点, 而由不等同的磁 垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点. 偏置电压极大地改变了磁量子结构中 电子的极化程度, 使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运性质也显著地依赖 于电子的自旋指向.

English Abstract

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