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pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

舒斌 戴显英 张鹤鸣

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pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

舒斌, 戴显英, 张鹤鸣

Determination of bandgap in SiGe strained layers using a pn heterojunction C-V

Shu Bin, Dai Xian-Ying, Zhang He-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-03-04
  • 修回日期:  2003-04-09
  • 刊出日期:  2004-01-15

pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:99JS09.3.1DZ0111)资助的课题.

摘要: 利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压(C-V)特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线,计算出 pn结接触电势差,并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量,进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便,其过程物理意义清晰,既适用于分立的SiGe/Si异质pn结,也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好.

English Abstract

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