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n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

伞海生 陈 冲 何毓阳 王 君 冯博学

引用本文:
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n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

伞海生, 陈 冲, 何毓阳, 王 君, 冯博学

Study on electrical properties of n-type transparent and conductiveCdIn22O44 thin film and the optimum preparation parameters for large- area film

San Hai-Sheng, Chen Chong, He Yu-Yang, Wang Jun, Feng Bo-Xue
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-03-30
  • 修回日期:  2004-11-17
  • 刊出日期:  2005-02-05

n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

  • 1. 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:69876018)和国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190)资助的课题.

摘要: 在Ar+O22气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn22O44 薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn22O44和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热 处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品 进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调

English Abstract

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