搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

乔 明 张 波 李肇基 方 健 周贤达

引用本文:
Citation:

背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

乔 明, 张 波, 李肇基, 方 健, 周贤达

Analysis of the back-gate effect on the breakdown behavior of lateral high-voltage SOI transistors

Qiao Ming, Zhang Bo, Li Zhao-Ji, Fang Jian, Zhou Xian-Da
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  8135
  • PDF下载量:  1233
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-12
  • 修回日期:  2006-12-14
  • 刊出日期:  2007-07-20

/

返回文章
返回