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埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

郑中山 刘忠立 张国强 李 宁 范 楷 张恩霞 易万兵 陈 猛 王 曦

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埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

郑中山, 刘忠立, 张国强, 李 宁, 范 楷, 张恩霞, 易万兵, 陈 猛, 王 曦

Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET

Zheng Zhong-Shan, Liu Zhong-Li, Zhang Guo-Qiang, Li Ning, Fan Kai, Zhang En-Xia, Yi Wan-Bing, Chen Meng, Wang Xi
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-03-16
  • 修回日期:  2004-04-14
  • 刊出日期:  2005-01-19

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