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亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

王冠宇 张鹤鸣 王晓艳 吴铁峰 王斌

引用本文:
Citation:

亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌

Two-dimensional threshold voltage model of sub-100 nm strained-Si/SiGe nMOSFET

Wang Guan-Yu, Zhang He-Ming, Wang Xiao-Yan, Wu Tie-Feng, Wang Bin
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-29
  • 修回日期:  2010-10-19
  • 刊出日期:  2011-07-15

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