| [1] |
辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇. 对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型. 物理学报,
2014, 63(14): 148502.
doi: 10.7498/aps.63.148502
|
| [2] |
胡辉勇, 刘翔宇, 连永昌, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌. γ射线总剂量辐照效应对应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究. 物理学报,
2014, 63(23): 236102.
doi: 10.7498/aps.63.236102
|
| [3] |
刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌. 具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究. 物理学报,
2014, 63(23): 237302.
doi: 10.7498/aps.63.237302
|
| [4] |
范敏敏, 徐静平, 刘璐, 白玉蓉, 黄勇. 高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计. 物理学报,
2014, 63(8): 087301.
doi: 10.7498/aps.63.087301
|
| [5] |
周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇. 应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 物理学报,
2013, 62(7): 077103.
doi: 10.7498/aps.62.077103
|
| [6] |
辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青. 单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型. 物理学报,
2013, 62(10): 108501.
doi: 10.7498/aps.62.108501
|
| [7] |
李妤晨, 张鹤鸣, 张玉明, 胡辉勇, 徐小波, 秦珊珊, 王冠宇. 新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型. 物理学报,
2012, 61(4): 047303.
doi: 10.7498/aps.61.047303
|
| [8] |
胡辉勇, 雷帅, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌, 王斌. Poly-Si1-xGex栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究. 物理学报,
2012, 61(10): 107301.
doi: 10.7498/aps.61.107301
|
| [9] |
曹磊, 刘红侠. 考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究. 物理学报,
2012, 61(24): 247303.
doi: 10.7498/aps.61.247303
|
| [10] |
李立, 刘红侠, 杨兆年. 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 物理学报,
2012, 61(16): 166101.
doi: 10.7498/aps.61.166101
|
| [11] |
王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌. 亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型. 物理学报,
2011, 60(7): 077106.
doi: 10.7498/aps.60.077106
|
| [12] |
屈江涛, 张鹤鸣, 王冠宇, 王晓艳, 胡辉勇. 多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型. 物理学报,
2011, 60(5): 058502.
doi: 10.7498/aps.60.058502
|
| [13] |
张志锋, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军. 应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型. 物理学报,
2009, 58(7): 4948-4952.
doi: 10.7498/aps.58.4948
|
| [14] |
汤晓燕, 张义门, 张玉明. SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压. 物理学报,
2009, 58(1): 494-497.
doi: 10.7498/aps.58.494
|
| [15] |
栾苏珍, 刘红侠, 贾仁需, 蔡乃琼. 高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型. 物理学报,
2008, 57(6): 3807-3812.
doi: 10.7498/aps.57.3807
|
| [16] |
张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜. 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究. 物理学报,
2007, 56(6): 3504-3508.
doi: 10.7498/aps.56.3504
|
| [17] |
陈海峰, 郝 跃, 马晓华, 唐 瑜, 孟志琴, 曹艳荣, 周鹏举. 超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性. 物理学报,
2007, 56(3): 1662-1667.
doi: 10.7498/aps.56.1662
|
| [18] |
李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季 峰. 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型. 物理学报,
2006, 55(7): 3670-3676.
doi: 10.7498/aps.55.3670
|
| [19] |
代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹. 考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型. 物理学报,
2005, 54(2): 897-901.
doi: 10.7498/aps.54.897
|
| [20] |
任红霞, 郝 跃, 许冬岗. N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究. 物理学报,
2000, 49(7): 1241-1248.
doi: 10.7498/aps.49.1241
|
下载:
