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PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

于遥 张晶思 陈黛黛 郭睿倩 谷至华

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PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

于遥, 张晶思, 陈黛黛, 郭睿倩, 谷至华

Improving the mobility of the amorphous silicon TFT with the new stratified structure by PECVD

Yu Yao, Zhang Jing-Si, Chen Dai-Dai, Guo Rui-Qian, Gu Zhi-Hua
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-08
  • 修回日期:  2013-04-29
  • 刊出日期:  2013-07-05

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