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n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究

桂永胜 褚君浩 蔡 毅 郑国珍 汤定元

引用本文:
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n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究

桂永胜, 褚君浩, 蔡 毅, 郑国珍, 汤定元

STUDY ON THE ELECTRON MOBILITY FOR EACH SUBBAND ON THE n-HgCdTe ACCUMULATED LAYER

GUI YONG-SHENG, CHU JUN-HAO, CAI YI, HENG GUO-ZHEN, TANG DING-YUAN
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-10-14
  • 刊出日期:  1998-04-05

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