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In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应

商丽燕 林 铁 周文政 李东临 高宏玲 曾一平 郭少令 俞国林 褚君浩

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In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应

商丽燕, 林 铁, 周文政, 李东临, 高宏玲, 曾一平, 郭少令, 俞国林, 褚君浩

Positive magnetoresistance in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well

Shang Li-Yan, Lin Tie, Zhou Wen-Zheng, Li Dong-Lin, Gao Hong-Ling, Zeng Yi-Ping, Guo Shao-Ling, Yu Guo-Lin, Chu Jun-Hao
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-03
  • 修回日期:  2008-03-25
  • 刊出日期:  2008-04-05

In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60221502)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB924901)资助的课题.

摘要: 在低温强磁场条件下,对In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的

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