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In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

朱丽虹 蔡加法 李晓莹 邓彪 刘宝林

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In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

朱丽虹, 蔡加法, 李晓莹, 邓彪, 刘宝林

Luminous performance improvement of InGaN/GaN light-emitting diodes by modulating In content in well layers

Zhu Li-Hong, Cai Jia-Fa, Li Xiao-Ying, Deng Biao, Liu Bao-Lin
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-29
  • 修回日期:  2009-11-19
  • 刊出日期:  2010-07-15

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