搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

李为军 张波 徐文兰 陆卫

引用本文:
Citation:

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

李为军, 张波, 徐文兰, 陆卫

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

Li Wei-Jun, Zhang Bo, Xu Wen-Lan, Lu Wei
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5609
  • PDF下载量:  1534
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-24
  • 修回日期:  2008-05-11
  • 刊出日期:  2009-05-20

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

  • 1. (1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10474020)和上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.

摘要: 分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回