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低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

徐耿钊 梁 琥 白永强 刘纪美 朱 星

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低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

徐耿钊, 梁 琥, 白永强, 刘纪美, 朱 星

Study of temperature dependent electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells using low temperature scanning near-field optical microscopy

Xu Geng-Zhao, Liang Hu, Bai Yong-Qiang, Lau Kei-May, Zhu Xing
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  • 使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮 温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减 小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发 光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间 跃迁形成.
    Though GaN based semiconductor materials and devices have achieved giant commerc ial success, there were few reports on their electroluminescent near-field optic al studies at low temperature. In this paper we present our results of the elect roluminescent near-field images and spectra at both room temperature and liquid nitrogen temperature by using a lab-made low temperature scanning near-field opt ical microscope. We found that with the decreasing of sample temperature, the fl uctuation of electroluminescent intensity in the near-field images is reduced gr eatly and the peak photon energy of the spectra emitted from the quantum wells e xhibits a blue-shift at first and then a red-shift. A new spectral peak emerges at higher photon energy at liquid nitrogen temperature. According to our analysi s, this higher photon energy peak is attributed to the transition from the botto m of conduction band to the acceptor energy states in the p-GaN cap layer.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10074002)和高等学校博士学科点专项科研基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-03-22
  • 修回日期:  2005-04-05
  • 刊出日期:  2005-11-20

低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

  • 1. (1)北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871; (2)香港科技大学电子工程系光子学技术中心,香港
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10074002)和高等学校博士学科点专项科研基金资助的课题.

摘要: 使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮 温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减 小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发 光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间 跃迁形成.

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