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反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响

王建国 徐忠锋 赵永涛 王瑜玉 李德慧 赵迪 肖国青

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反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响

王建国, 徐忠锋, 赵永涛, 王瑜玉, 李德慧, 赵迪, 肖国青

Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces

Wang Jian-Guo, Xu Zhong-Feng, Zhao Yong-Tao, Wang Yu-Yu, Li De-Hui, Zhao Di, Xiao Guo-Qing
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  • 在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105 m/s≤vP≤1.42×106 m/s) He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发
    The electron emission yields from the interaction of slow highly charged ions (SHCI)He2+,O2+and Ne2+ with clean Si surface are measured separately. It is found that electron emission yield γ increases proportionally to projectile kinetic energy EP/MP ranging from 0.75 keV/u to 10.5 keV/u (i.e. 3.8×105 m/s≤vP≤ 1.42×106 m/s), and it is higher for heavy ions (O2+and Ne2+) than for light ion (He2+). For O2+and Ne2+, γ increases with ZP decreasing in our energy range, and it shows quite different from the result for higher projectile kinetic energy. After calculating the stopping power by using TRIM 2006, it is found that the fraction of secondary electrons induced by recoil atoms increases significantly at lower projectile energy, thereby leads to the differences in γ for heavy ions O2+and Ne2+between lower and higher projectile kinetic energy.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号11075125, 10805063) 资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-17
  • 修回日期:  2009-12-29
  • 刊出日期:  2010-11-15

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