搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于1/f 噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究

孙鹏 杜磊 何亮 陈文豪 刘玉栋 赵瑛

引用本文:
Citation:

基于1/f 噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究

孙鹏, 杜磊, 何亮, 陈文豪, 刘玉栋, 赵瑛

Radiation degradation mechanism of pn-junction diode based on 1/f noise variation

Sun Peng, Du Lei, He Liang, Chen Wen-Hao, Liu Yu-Dong, Zhao Ying
PDF
导出引用
  • 基于pn结二极管辐射效应退化机理中位移效应和电离效应之间的关系, 并结合pn结二极管辐射退化的噪声机理, 得到了pn结二极管辐射诱导低频噪声的变化规律, 发现两种效应引起的二极管噪声变化规律之间的不一致性. 根据实验得到的噪声变化规律, 判断出了辐射应力条件下两种效应之间的关系, 很好地解释了实验中出现的不符合原有理论解释的现象, 对器件加固的研究有着重要意义.
    Based on the relationship between ionizing damage effect and displacement damage effect under radiation degradation mechanism of pn-junction diode, and combined with the noise theory of radiation degradation of pn-junction diode, a change law of low frequency noise of pn-junction diode under radiation found. The inconsistency between the change laws of of two kinds of effects is found. Based on the experimental result, the relationship between two kinds of effects is judged. This relationship can explain the experimental result. This is very important for the device hardening research.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60276028).
    [1]

    Chen P X 2005 Radiation Effects on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (National Defense Industry Press) (in Chinese) [陈盘训 2005 半导体器件和集成电路的辐射效应 (国防工业出版社)]

    [2]

    Horne W E Literatrue Search and Radiation Study on Electronic Parts (in Chinese) [霍恩 1974 辐射对电子元件器件的影响 (国防工业出版社)]

    [3]

    Wang J R, Gao Z L 1996 J. Nucl. Argic. Sci. 17 75 (in Chinese) [王锦荣, 高仲林 1996 核农学通报 17 75]

    [4]

    Zhao H F, Du L, He L 2011 Acta Phys. Sin. 60 028501 (in Chinese) [赵鸿飞, 杜磊, 何亮 2011 物理学报 60 028501]

    [5]

    Jevtic M M 1995 Microelectronics Reliability 35 1925

    [6]

    Huang Y C,Liu D F 2005 Acta Phys. Sin. 54 2261 (in Chinese) [黄杨程, 刘大福 2005 物理学报 54 2261]

    [7]

    Snow E H, Grove A S, Fitzgerald D J 1967 Proceedings Of The IEEE. 55 1168

    [8]

    Barnaby H J, Analytical 2002 IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 2643

    [9]

    Zhuang Y Q, Sun Q 1993 Noise and its Minimizing Technology in Semiconductor Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [庄奕琪, 孙青 1993 半导体器件中的噪声及其低噪声化技术 (国防工业出版社)]

    [10]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 1994 Semiconductor Physics (National Defense Industry Press) p116 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 1994 半导体物理学 (国防工业出版社)第116页]

    [11]

    Fan-Chi Hou, Gijs Bosman, Eddy Simoen 1998 IEEE Transaction on Electron Devices 45 2528

    [12]

    Chen W H, Du L, Zhuang Y Q 2009 Acta Phys. Sin. 58 4090 (in Chinese) [陈伟华, 杜磊, 庄奕琪 2009 物理学报 58 4090

    [13]

    Claeys C, Simoen E 2008 Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [刘忠立 2008 先进半导体材料及器件的辐射效应 (国防工业出版社)]

  • [1]

    Chen P X 2005 Radiation Effects on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (National Defense Industry Press) (in Chinese) [陈盘训 2005 半导体器件和集成电路的辐射效应 (国防工业出版社)]

    [2]

    Horne W E Literatrue Search and Radiation Study on Electronic Parts (in Chinese) [霍恩 1974 辐射对电子元件器件的影响 (国防工业出版社)]

    [3]

    Wang J R, Gao Z L 1996 J. Nucl. Argic. Sci. 17 75 (in Chinese) [王锦荣, 高仲林 1996 核农学通报 17 75]

    [4]

    Zhao H F, Du L, He L 2011 Acta Phys. Sin. 60 028501 (in Chinese) [赵鸿飞, 杜磊, 何亮 2011 物理学报 60 028501]

    [5]

    Jevtic M M 1995 Microelectronics Reliability 35 1925

    [6]

    Huang Y C,Liu D F 2005 Acta Phys. Sin. 54 2261 (in Chinese) [黄杨程, 刘大福 2005 物理学报 54 2261]

    [7]

    Snow E H, Grove A S, Fitzgerald D J 1967 Proceedings Of The IEEE. 55 1168

    [8]

    Barnaby H J, Analytical 2002 IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 2643

    [9]

    Zhuang Y Q, Sun Q 1993 Noise and its Minimizing Technology in Semiconductor Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [庄奕琪, 孙青 1993 半导体器件中的噪声及其低噪声化技术 (国防工业出版社)]

    [10]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 1994 Semiconductor Physics (National Defense Industry Press) p116 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 1994 半导体物理学 (国防工业出版社)第116页]

    [11]

    Fan-Chi Hou, Gijs Bosman, Eddy Simoen 1998 IEEE Transaction on Electron Devices 45 2528

    [12]

    Chen W H, Du L, Zhuang Y Q 2009 Acta Phys. Sin. 58 4090 (in Chinese) [陈伟华, 杜磊, 庄奕琪 2009 物理学报 58 4090

    [13]

    Claeys C, Simoen E 2008 Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [刘忠立 2008 先进半导体材料及器件的辐射效应 (国防工业出版社)]

  • [1] 魏雯静, 高旭东, 吕亮亮, 许楠楠, 李公平. 中子对碲锌镉辐照损伤模拟研究. 物理学报, 2022, 0(0): 0-0. doi: 10.7498/aps.71.20221195
    [2] 王铁山, 张多飞, 陈亮, 律鹏, 杜鑫, 袁伟, 杨迪. 辐照导致硼硅酸盐玻璃机械性能变化. 物理学报, 2017, 66(2): 026101. doi: 10.7498/aps.66.026101
    [3] 高云亮, 朱芫江, 李进平. Al辐照损伤初期的第一性原理研究. 物理学报, 2017, 66(5): 057104. doi: 10.7498/aps.66.057104
    [4] 常晓阳, 尧舜, 张奇灵, 张杨, 吴波, 占荣, 杨翠柏, 王智勇. 基于分布式布拉格反射器结构的空间三结砷化镓太阳能电池抗辐照研究. 物理学报, 2016, 65(10): 108801. doi: 10.7498/aps.65.108801
    [5] 齐俊杰, 徐旻轩, 胡小峰, 张跃. 一维纳米氧化锌自驱动紫外探测器的构建与性能研究. 物理学报, 2015, 64(17): 172901. doi: 10.7498/aps.64.172901
    [6] 惠治鑫, 贺鹏飞, 戴瑛, 吴艾辉. 硅功能化石墨烯负极材料的粗粒模型. 物理学报, 2015, 64(14): 143101. doi: 10.7498/aps.64.143101
    [7] 齐佳红, 胡建民, 盛延辉, 吴宜勇, 徐建文, 王月媛, 杨晓明, 张子锐, 周扬. 电子辐照下GaAs/Ge太阳电池载流子输运机理研究. 物理学报, 2015, 64(10): 108802. doi: 10.7498/aps.64.108802
    [8] 陈东海, 杨谋, 段后建, 王瑞强. 自旋轨道耦合作用下石墨烯pn结的电子输运性质. 物理学报, 2015, 64(9): 097201. doi: 10.7498/aps.64.097201
    [9] 姜少宁, 万发荣, 龙毅, 刘传歆, 詹倩, 大貫惣明. 氦、氘对纯铁辐照缺陷的影响. 物理学报, 2013, 62(16): 166801. doi: 10.7498/aps.62.166801
    [10] 崔振国, 勾成俊, 侯氢, 毛莉, 周晓松. 低能中子在锆中产生的辐照损伤的计算机模拟研究. 物理学报, 2013, 62(15): 156105. doi: 10.7498/aps.62.156105
    [11] 朱勇, 李宝华, 谢国锋. 质子对BaTiO3薄膜辐照损伤的计算机模拟. 物理学报, 2012, 61(4): 046103. doi: 10.7498/aps.61.046103
    [12] 汪俊, 张宝玲, 周宇璐, 侯氢. 金属钨中氦行为的分子动力学模拟. 物理学报, 2011, 60(10): 106601. doi: 10.7498/aps.60.106601
    [13] 吴宜勇, 岳龙, 胡建民, 蓝慕杰, 肖景东, 杨德庄, 何世禹, 张忠卫, 王训春, 钱勇, 陈鸣波. 位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程. 物理学报, 2011, 60(9): 098110. doi: 10.7498/aps.60.098110
    [14] 敖冰云, 汪小琳, 陈丕恒, 史鹏, 胡望宇, 杨剑瑜. 嵌入原子法计算金属钚中点缺陷的能量. 物理学报, 2010, 59(7): 4818-4825. doi: 10.7498/aps.59.4818
    [15] 崔昊杨, 李志锋, 马法君, 陈效双, 陆卫. 硅的间接跃迁双光子吸收系数谱. 物理学报, 2010, 59(10): 7055-7059. doi: 10.7498/aps.59.7055
    [16] 贺新福, 杨文, 樊胜. 论FeCr合金辐照损伤的多尺度模拟. 物理学报, 2009, 58(12): 8657-8669. doi: 10.7498/aps.58.8657
    [17] 王海燕, 祝文军, 宋振飞, 刘绍军, 陈向荣, 贺红亮. 氦泡对铝的弹性性质的影响. 物理学报, 2008, 57(6): 3703-3708. doi: 10.7498/aps.57.3703
    [18] 范鲜红, 李 敏, 尼启良, 刘世界, 王晓光, 陈 波. Mo/Si多层膜在质子辐照下反射率的变化. 物理学报, 2008, 57(10): 6494-6499. doi: 10.7498/aps.57.6494
    [19] 曹 萌, 吴惠桢, 刘 成, 劳燕锋, 黄占超, 谢正生, 张 军, 江 山. 干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究. 物理学报, 2007, 56(2): 1027-1031. doi: 10.7498/aps.56.1027
    [20] 夏志林, 邵建达, 范正修. 薄膜体内缺陷对损伤概率的影响. 物理学报, 2007, 56(1): 400-406. doi: 10.7498/aps.56.400
计量
  • 文章访问数:  4571
  • PDF下载量:  709
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-27
  • 修回日期:  2011-11-16
  • 刊出日期:  2012-06-05

基于1/f 噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院, 陕西西安 710071
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.

摘要: 基于pn结二极管辐射效应退化机理中位移效应和电离效应之间的关系, 并结合pn结二极管辐射退化的噪声机理, 得到了pn结二极管辐射诱导低频噪声的变化规律, 发现两种效应引起的二极管噪声变化规律之间的不一致性. 根据实验得到的噪声变化规律, 判断出了辐射应力条件下两种效应之间的关系, 很好地解释了实验中出现的不符合原有理论解释的现象, 对器件加固的研究有着重要意义.

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回