搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

CoFeB/AlOx/Ta及AlOx/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究

陈希 刘厚方 韩秀峰 姬扬

引用本文:
Citation:

CoFeB/AlOx/Ta及AlOx/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究

陈希, 刘厚方, 韩秀峰, 姬扬

The research of the perpendicular magnetic anisotropy in CoFeB/AlOx/Ta and AlOx/CoFeB/Ta structures

Chen Xi, Liu Hou-Fang, Han Xiu-Feng, Ji Yang
PDF
导出引用
  • 本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下, 底层CoFeB/AlOx/Ta结构和 顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性. 在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线, 证明了其垂直易磁化效应的存在; 而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中却没有观察到类似的磁滞回线. 对这种对称结构中的非对称现象进行了分析. 研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度, 从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变. 这项研究将对基于AlOx氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义.
    The perpendicular magnetic anisotropy (PMA) of the CoFeB/AlOx/Ta structure and the AlOx/CoFeB/Ta structure with different thicknesses of both CoFeB and AlOx is studied. Magnetization curves show that the CoFeB/AlOx/Ta structure has a clear perpendicular magnetic easy axis while the AlOx/CoFeB/Ta structure does not. The cause of the asymmetrical phenomenon in the symmetric structures is analyzed. Dependence of the perpendicular coercivities on the thicknesses of CoFeB and AlOx shows that both of them can affect the strength of the PMA originating from the interfacial interaction. This work will be meaningful for the fabrication of the AlOx-based perpendicular magnetic tunnel junctions.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 91021022);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2009CB929301, 2010CB934400)和国家自然科学基金重点项目(批准号: 10934009)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 91021022), the National Basic Research Program of China(Grant Nos. 2009CB929301, 2010CB934400), and the Key Program of the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 10934009).
    [1]

    Mangin S, Ravelosona D, Katine J A, Carey M J, Terris B D, Eric E F 2006 Nature Mater. 5 210

    [2]

    Meng H, Wang J P 2006 Appl. Phys. Lett. 88 172506

    [3]

    Kou S P, Lu R, Liang J Q 2003 Chin. Phys. Lett. 19 1525

    [4]

    Kim G, Sakuraba Y, Oogane M, Ando Y, Miyazaki T 2008 Appl. Phys. Lett. 92 172502

    [5]

    Ding Y, Judy J H, Wang J P 2005 J. Appl. Phys. 97 10J117

    [6]

    Nishimura N, Hirai T, Koganei A, Ikeda T, Okano K, Sekiguchi Y, Osada Y 2002 J. Appl. Phys. 91 5246

    [7]

    Mizunuma K, Ikeda S, Park J H, Yamamoto H, Gan H D, Miura K, Hasegawa H, Hayakawa J, Matsukura F, Ohno H 2009 Appl. Phys. Lett. 95 232516

    [8]

    Ikeda S, Miura K, Yamamoto H, Mizunuma K, Gan H D, Endo M, Kanai S, Hayakawa J, Matsukura F, Ohno H 2010 Nature Mater. 9 721

    [9]

    Wang W X, Yang Y, Naganuma H, Ando Y, Yu R C, Han X F 2011 Appl. Phys. Lett. 99 012502

    [10]

    Worledge D C, Hu G, Abraham D W, Sun J Z, Trouilloud P L, Nowak J, Brown S, Gaidis M C, O'Sullivan E J, Robertazzi R P 2011 Appl. Phys. Lett. 98 022501

    [11]

    Cheng C W, Feng W, Chern G, Lee C M, Wu T 2011 J. Appl. Phys. 110 033916

    [12]

    Chen Y T, Wu J W 2011 J. Alloy. Compd. 509 9246

    [13]

    Yamanouchi M, Koizumi R, Ikeda S, Sato H, Mizunuma K, Miura K, Gan H D, Matsukura F, Ohno H 2011 J. Appl. Phys. 109 07C712

    [14]

    Spoddig D, Köhler U, Haak M, Kneppe M, Schmitte T, Westphalen A, Theis-Bröhl K, Meckenstock R, You D, Pelzl J 2008 Superlattices Microstruct. 43 180

    [15]

    Hirose Y, Hitosugi T, Kasai J, Furubayashi Y, Nakajima K, Chikyow T, Konuma S, Shimada T, Hasegawa T 2010 Appl. Phys. Lett. 96 042503

    [16]

    Liu N, Wang H, Zhu T 2012 Acta Phys. Sin. 61 167594 (in Chinese) [刘娜, 王海, 朱涛 2012 物理学报 61 167594]

    [17]

    Ma Q L 2011 Ph. D. Dissertation (Beijing: Graduate University of Chinese Academy of Sciences) (in Chinese) [马勤礼 2011 博士学位论文(北京: 中国科学院研究生院)

    [18]

    Endo M, Kanai S, Ikeda S, Matsukura F, Ohno H 2010 Appl. Phys. Lett. 96 212503

  • [1]

    Mangin S, Ravelosona D, Katine J A, Carey M J, Terris B D, Eric E F 2006 Nature Mater. 5 210

    [2]

    Meng H, Wang J P 2006 Appl. Phys. Lett. 88 172506

    [3]

    Kou S P, Lu R, Liang J Q 2003 Chin. Phys. Lett. 19 1525

    [4]

    Kim G, Sakuraba Y, Oogane M, Ando Y, Miyazaki T 2008 Appl. Phys. Lett. 92 172502

    [5]

    Ding Y, Judy J H, Wang J P 2005 J. Appl. Phys. 97 10J117

    [6]

    Nishimura N, Hirai T, Koganei A, Ikeda T, Okano K, Sekiguchi Y, Osada Y 2002 J. Appl. Phys. 91 5246

    [7]

    Mizunuma K, Ikeda S, Park J H, Yamamoto H, Gan H D, Miura K, Hasegawa H, Hayakawa J, Matsukura F, Ohno H 2009 Appl. Phys. Lett. 95 232516

    [8]

    Ikeda S, Miura K, Yamamoto H, Mizunuma K, Gan H D, Endo M, Kanai S, Hayakawa J, Matsukura F, Ohno H 2010 Nature Mater. 9 721

    [9]

    Wang W X, Yang Y, Naganuma H, Ando Y, Yu R C, Han X F 2011 Appl. Phys. Lett. 99 012502

    [10]

    Worledge D C, Hu G, Abraham D W, Sun J Z, Trouilloud P L, Nowak J, Brown S, Gaidis M C, O'Sullivan E J, Robertazzi R P 2011 Appl. Phys. Lett. 98 022501

    [11]

    Cheng C W, Feng W, Chern G, Lee C M, Wu T 2011 J. Appl. Phys. 110 033916

    [12]

    Chen Y T, Wu J W 2011 J. Alloy. Compd. 509 9246

    [13]

    Yamanouchi M, Koizumi R, Ikeda S, Sato H, Mizunuma K, Miura K, Gan H D, Matsukura F, Ohno H 2011 J. Appl. Phys. 109 07C712

    [14]

    Spoddig D, Köhler U, Haak M, Kneppe M, Schmitte T, Westphalen A, Theis-Bröhl K, Meckenstock R, You D, Pelzl J 2008 Superlattices Microstruct. 43 180

    [15]

    Hirose Y, Hitosugi T, Kasai J, Furubayashi Y, Nakajima K, Chikyow T, Konuma S, Shimada T, Hasegawa T 2010 Appl. Phys. Lett. 96 042503

    [16]

    Liu N, Wang H, Zhu T 2012 Acta Phys. Sin. 61 167594 (in Chinese) [刘娜, 王海, 朱涛 2012 物理学报 61 167594]

    [17]

    Ma Q L 2011 Ph. D. Dissertation (Beijing: Graduate University of Chinese Academy of Sciences) (in Chinese) [马勤礼 2011 博士学位论文(北京: 中国科学院研究生院)

    [18]

    Endo M, Kanai S, Ikeda S, Matsukura F, Ohno H 2010 Appl. Phys. Lett. 96 212503

  • [1] 金冬月, 曹路明, 王佑, 贾晓雪, 潘永安, 周钰鑫, 雷鑫, 刘圆圆, 杨滢齐, 张万荣. 基于工艺偏差的自旋转移矩辅助压控磁各向异性磁隧道结电学模型及其应用研究. 物理学报, 2022, 71(10): 107501. doi: 10.7498/aps.71.20211700
    [2] 杨萌, 白鹤, 李刚, 朱照照, 竺云, 苏鉴, 蔡建旺. 垂直各向异性Ho3Fe5O12薄膜的外延生长与其异质结构的自旋输运. 物理学报, 2021, 70(7): 077501. doi: 10.7498/aps.70.20201737
    [3] 金冬月, 陈虎, 王佑, 张万荣, 那伟聪, 郭斌, 吴玲, 杨绍萌, 孙晟. 基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用. 物理学报, 2020, 69(19): 198502. doi: 10.7498/aps.69.20200228
    [4] 盛宇, 张楠, 王开友, 马星桥. 自旋轨道矩调控的垂直磁各向异性四态存储器结构. 物理学报, 2018, 67(11): 117501. doi: 10.7498/aps.67.20180216
    [5] 肖嘉星, 鲁军, 朱礼军, 赵建华. 垂直磁各向异性L10-Mn1.67Ga超薄膜分子束外延生长与磁性研究. 物理学报, 2016, 65(11): 118105. doi: 10.7498/aps.65.118105
    [6] 俱海浪, 王洪信, 程鹏, 李宝河, 陈晓白, 刘帅, 于广华. 磁性多层膜CoFeB/Ni的垂直磁各向异性研究. 物理学报, 2016, 65(24): 247502. doi: 10.7498/aps.65.247502
    [7] 于涛, 刘毅, 朱正勇, 钟汇才, 朱开贵, 苟成玲. Mo覆盖层对MgO/CoFeB/Mo结构磁各向异性的影响. 物理学报, 2015, 64(24): 247504. doi: 10.7498/aps.64.247504
    [8] 俱海浪, 向萍萍, 王伟, 李宝河. MgO/Pt界面对增强Co/Ni多层膜垂直磁各向异性及热稳定性的研究. 物理学报, 2015, 64(19): 197501. doi: 10.7498/aps.64.197501
    [9] 俱海浪, 李宝河, 吴志芳, 张璠, 刘帅, 于广华. Co/Ni多层膜垂直磁各向异性的研究. 物理学报, 2015, 64(9): 097501. doi: 10.7498/aps.64.097501
    [10] 王日兴, 肖运昌, 赵婧莉. 垂直磁各向异性自旋阀结构中的铁磁共振. 物理学报, 2014, 63(21): 217601. doi: 10.7498/aps.63.217601
    [11] 竺云, 韩娜. 引入纳米氧化层的CoFe/Pd双层膜结构中增强的垂直磁各向异性研究. 物理学报, 2012, 61(16): 167505. doi: 10.7498/aps.61.167505
    [12] 刘娜, 王海, 朱涛. CoFeB/Pt多层膜的垂直磁各向异性研究. 物理学报, 2012, 61(16): 167504. doi: 10.7498/aps.61.167504
    [13] 顾文娟, 潘靖, 杜薇, 胡经国. 铁磁共振法测磁各向异性. 物理学报, 2011, 60(5): 057601. doi: 10.7498/aps.60.057601
    [14] 闫静, 祁先进, 王寅岗. 退火对IrMn基磁隧道结多层膜热稳定性的影响. 物理学报, 2011, 60(8): 088106. doi: 10.7498/aps.60.088106
    [15] 付艳强, 刘洋, 金川, 于广华. Pt插层对Co/FeMn界面的影响. 物理学报, 2009, 58(11): 7977-7982. doi: 10.7498/aps.58.7977
    [16] 冯春, 詹倩, 李宝河, 滕蛟, 李明华, 姜勇, 于广华. 利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L10-FePt薄膜. 物理学报, 2009, 58(5): 3503-3508. doi: 10.7498/aps.58.3503
    [17] 彭子龙, 韩秀峰, 赵素芬, 魏红祥, 杜关祥, 詹文山. 磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转. 物理学报, 2006, 55(2): 860-864. doi: 10.7498/aps.55.860
    [18] 王 勇, 张 泽, 曾中明, 韩秀峰. 电子全息对磁隧道结势垒层的研究. 物理学报, 2006, 55(3): 1148-1152. doi: 10.7498/aps.55.1148
    [19] 史慧刚, 付军丽, 薛德胜. 非晶Fe89.7P10.3合金纳米线阵列的磁性研究. 物理学报, 2005, 54(8): 3862-3866. doi: 10.7498/aps.54.3862
    [20] 黄 阀, 李宝河, 杨 涛, 翟中海, 朱逢吾. 多层膜[Co85Cr15/Pt]20的磁性、垂直磁记录特性和微结构的关系. 物理学报, 2005, 54(4): 1841-1846. doi: 10.7498/aps.54.1841
计量
  • 文章访问数:  3148
  • PDF下载量:  619
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-15
  • 修回日期:  2013-04-25
  • 刊出日期:  2013-07-05

CoFeB/AlOx/Ta及AlOx/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京 100083;
  • 2. 中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家实验室, 北京 100190
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 91021022);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2009CB929301, 2010CB934400)和国家自然科学基金重点项目(批准号: 10934009)资助的课题.

摘要: 本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下, 底层CoFeB/AlOx/Ta结构和 顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性. 在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线, 证明了其垂直易磁化效应的存在; 而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中却没有观察到类似的磁滞回线. 对这种对称结构中的非对称现象进行了分析. 研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度, 从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变. 这项研究将对基于AlOx氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义.

English Abstract

参考文献 (18)

目录

    /

    返回文章
    返回