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氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

蒋柏林 盛世雄 肖治纲 包剑英

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氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

蒋柏林, 盛世雄, 肖治纲, 包剑英

MECHANISM OF THE FORMATION OF THE DEFECTS DURING HEAT TREATMENT IN SINGLE SILICON CRYSTAL GROWN BY FLOATING ZONE METHOD UNDER PURE HYDROGEN

JIANG BAI-LIN, SHENG SHI-XIONG, XIAO ZHI-GANG, BAO JIAN-YING
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-11-22
  • 刊出日期:  1980-05-05

氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

  • 1. (1)北京钢铁学院金属物理教研室; (2)冶金工业部有色金属研究总院

摘要: 本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分

English Abstract

参考文献 (1)

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