[1] |
肖杨杨, 王晓方. 磁场对超热电子产生Kα辐射对比度的影响. 物理学报,
2025, 74(13): .
doi: 10.7498/aps.74.20250144
|
[2] |
舒盼盼, 赵朋程, 王瑞. 110 GHz微波输出窗内表面次级电子倍增特性的电磁粒子模拟. 物理学报,
2023, 72(9): 095202.
doi: 10.7498/aps.72.20222235
|
[3] |
杨利霞, 刘超, 李清亮, 闫玉波. 斜入射非线性电离层Langmuir扰动的电磁波传播特性. 物理学报,
2022, 71(6): 064101.
doi: 10.7498/aps.71.20211204
|
[4] |
左春彦, 高飞, 戴忠玲, 王友年. 高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC模拟研究. 物理学报,
2018, 67(22): 225201.
doi: 10.7498/aps.67.20181260
|
[5] |
李志鹏, 李晶, 孙静, 刘阳, 方进勇. 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理. 物理学报,
2016, 65(16): 168501.
doi: 10.7498/aps.65.168501
|
[6] |
魏进进, 周东方, 余道杰, 胡涛, 侯德亭, 张德伟, 雷雪, 胡俊杰. 高功率微波作用下O-离子解吸附产生种子电子过程. 物理学报,
2016, 65(5): 055202.
doi: 10.7498/aps.65.055202
|
[7] |
张雪, 范俊杰, 王勇. 刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制. 物理学报,
2014, 63(22): 227902.
doi: 10.7498/aps.63.227902
|
[8] |
张雪, 王勇, 范俊杰, 张瑞. 圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟. 物理学报,
2014, 63(22): 227901.
doi: 10.7498/aps.63.227901
|
[9] |
张雪, 王勇, 范俊杰, 朱方, 张瑞. 金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究. 物理学报,
2014, 63(16): 167901.
doi: 10.7498/aps.63.167901
|
[10] |
杨双波. 温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响. 物理学报,
2014, 63(5): 057301.
doi: 10.7498/aps.63.057301
|
[11] |
唐田田, 张朝民, 张敏. 氢负离子在磁场和金属面附近电子通量分布的研究. 物理学报,
2013, 62(12): 123201.
doi: 10.7498/aps.62.123201
|
[12] |
董烨, 董志伟, 杨温渊, 周前红, 周海京. 介质窗横向电磁场分布下的次级电子倍增效应. 物理学报,
2013, 62(19): 197901.
doi: 10.7498/aps.62.197901
|
[13] |
蔡利兵, 王建国, 朱湘琴, 王玥, 宣春, 夏洪富. 外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响. 物理学报,
2012, 61(7): 075101.
doi: 10.7498/aps.61.075101
|
[14] |
蔡利兵, 王建国, 朱湘琴. 强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究. 物理学报,
2011, 60(8): 085101.
doi: 10.7498/aps.60.085101
|
[15] |
蔡利兵, 王建国. 介质表面高功率微波击穿的数值模拟. 物理学报,
2009, 58(5): 3268-3273.
doi: 10.7498/aps.58.3268
|
[16] |
张助华, 郭万林, 郭宇锋. 轴向磁场对碳纳米管电子性质的影响. 物理学报,
2006, 55(12): 6526-6531.
doi: 10.7498/aps.55.6526
|
[17] |
李玉现, 刘建军, 李伯臧. 量子点接触中的电导与热功率:磁场与温度的影响. 物理学报,
2005, 54(3): 1366-1369.
doi: 10.7498/aps.54.1366
|
[18] |
傅思祖, 黄秀光, 吴 江, 王瑞荣, 马民勋, 何钜华, 叶君健, 顾 援. 斜入射激光驱动的冲击波在样品中传播特性的实验研究. 物理学报,
2003, 52(8): 1877-1881.
doi: 10.7498/aps.52.1877
|
[19] |
陈正林, 张杰. 对超热电子诱生的磁场分布的估算. 物理学报,
2001, 50(4): 735-740.
doi: 10.7498/aps.50.735
|
[20] |
陈正林, 张 杰. 对超热电子诱生的磁场分布的估算. 物理学报,
2000, 49(11): 2180-2185.
doi: 10.7498/aps.49.2180
|