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硅中的过渡元素杂质能级

夏建白

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硅中的过渡元素杂质能级

夏建白

DEEP LEVELS OF TRANSITION IMPURITIES IN SILICON

XIA JIAN-BAI
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-10-13
  • 刊出日期:  1984-05-05

硅中的过渡元素杂质能级

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 本文提出了半导体中过渡元素杂质的一个简单模型,用格林函数方法计算了硅中替代和间隙原子产生的杂质能级和波函数。发现两者的性质有很大的差别。替代原子只有当d原子能级Vd低于价带顶时才能产生杂质能级。它的波函数主要是悬键态,当能级靠近导带边时变成正键态。间隙原子只有当Vd高于价带顶时才能产生杂质能级。它的波函数主要是中心原子d态,当能级靠近导带边时变成弱反键态。最后定性地说明了过渡元素杂质能级的化学趋势和一些实验事实。

English Abstract

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