[1] |
蒋川东, 常星, 孙佳, 李天威, 田宝凤. 基于L1范数的低场核磁共振T2谱稀疏反演方法. 物理学报,
2017, 66(4): 047601.
doi: 10.7498/aps.66.047601
|
[2] |
崔彦祥, 王玉梅, 李方华. 3C-SiC薄膜小角晶界附近位错核心的原子组态研究. 物理学报,
2015, 64(4): 046801.
doi: 10.7498/aps.64.046801
|
[3] |
邓发明, 高涛, 沈艳红, 龚艳蓉. 强激光辐照对3C-SiC晶体结构稳定性的影响. 物理学报,
2015, 64(4): 046301.
doi: 10.7498/aps.64.046301
|
[4] |
何曼丽, 王晓, 张明, 王黎, 宋蕊. 低温等离子体中H2(D2和T2)的振动分布. 物理学报,
2014, 63(12): 125201.
doi: 10.7498/aps.63.125201
|
[5] |
周鹏力, 郑树凯, 田言, 张朔铭, 史茹倩, 何静芳, 闫小兵. Al-N共掺杂3C-SiC介电性质的第一性原理计算. 物理学报,
2014, 63(5): 053102.
doi: 10.7498/aps.63.053102
|
[6] |
周鹏力, 史茹倩, 何静芳, 郑树凯. B-Al共掺杂3C-SiC的第一性原理研究. 物理学报,
2013, 62(23): 233101.
doi: 10.7498/aps.62.233101
|
[7] |
李智敏, 施建章, 卫晓黑, 李培咸, 黄云霞, 李桂芳, 郝跃. 掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能. 物理学报,
2012, 61(23): 237103.
doi: 10.7498/aps.61.237103
|
[8] |
张云, 邵晓红, 王治强. 3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究. 物理学报,
2010, 59(8): 5652-5660.
doi: 10.7498/aps.59.5652
|
[9] |
刘福, 周继承, 谭晓超. 3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究. 物理学报,
2009, 58(11): 7821-7825.
doi: 10.7498/aps.58.7821
|
[10] |
吕梦雅, 陈洲文, 李立新, 刘日平, 王文魁. 3C-SiC高压相变的理论研究. 物理学报,
2006, 55(7): 3576-3580.
doi: 10.7498/aps.55.3576
|
[11] |
邱庆春. T1u×hg Jahn-Teller系统:D3d势阱中的频率分解与能级分裂. 物理学报,
2004, 53(7): 2292-2298.
doi: 10.7498/aps.53.2292
|
[12] |
林洪峰, 谢二庆, 马紫微, 张 军, 彭爱华, 贺德衍. 射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜. 物理学报,
2004, 53(8): 2780-2785.
doi: 10.7498/aps.53.2780
|
[13] |
张玉明, 张义门, 崔杰, 罗晋生. 3C-SiC体特性的Monte Carlo模型. 物理学报,
1997, 46(11): 2215-2222.
doi: 10.7498/aps.46.2215
|
[14] |
范希庆, 张德萱, 申三国. 在TB框架中能带结构对深能级波函数的影响. 物理学报,
1988, 37(2): 177-182.
doi: 10.7498/aps.37.177
|
[15] |
李名复, 任尚元, 茅德强. 半导体深能级波函数在Bloch空间的分布特征. 物理学报,
1985, 34(4): 547-551.
doi: 10.7498/aps.34.547
|
[16] |
李名复, 任尚元, 茅德强. 半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为. 物理学报,
1984, 33(6): 738-746.
doi: 10.7498/aps.33.738
|
[17] |
茅德强, 李名复, 任尚元. GaP中替代缺陷对的A1对称性深能级波函数. 物理学报,
1984, 33(7): 897-907.
doi: 10.7498/aps.33.897
|
[18] |
李名复, 任尚元, 茅德强. Si中深能级T2对称波函数理论. 物理学报,
1983, 32(10): 1263-1272.
doi: 10.7498/aps.32.1263
|
[19] |
孙洪洲. 对SU3波函数的讨论. 物理学报,
1964, 20(6): 483-500.
doi: 10.7498/aps.20.483
|
[20] |
韩文述, 邵耀良, 阮英超. 奇A核非轴对称转动波函数与能级的计算. 物理学报,
1963, 19(2): 99-102.
doi: 10.7498/aps.19.99
|