搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

半导体深能级瞬态谱中多子脉冲下的少子陷阱响应

傅春寅 鲁永令 曾树荣

引用本文:
Citation:

半导体深能级瞬态谱中多子脉冲下的少子陷阱响应

傅春寅, 鲁永令, 曾树荣

RESPONSE OF THE MINORITY CARRIER IN THE SEMICONDUCTORS DLTS UNDER MAJORITY CARRIER PULSE CONDITION

FU CHUN-YIN, LU YONG-LING, ZENG SHU-RONG
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4610
  • PDF下载量:  877
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1984-08-29
  • 刊出日期:  1985-06-05

半导体深能级瞬态谱中多子脉冲下的少子陷阱响应

  • 1. 北京大学物理系
    基金项目: 中国科学院科学基金

摘要: 在一个Si中掺Aup+n结的多子脉冲下深能级瞬态谱(DLTS)中,发现了一个少子峰信号。给出了这一现象的主要实验结果,并做了系统的物理分析。这是p+n结中高掺杂一侧的自由少数载流子尾在自建势所张开的空间电荷区中被少子陷阱俘获后,再发射的结果。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回