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SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

杨林安 张义门 于春利 张玉明

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SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

杨林安, 张义门, 于春利, 张玉明

Trapping effect modeling for SiC power MESFETs

Yang Lin-An, Zhang Yi-Men, Yu Chun-Li, Zhang Yu-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-03-31
  • 修回日期:  2002-06-02
  • 刊出日期:  2003-01-05

SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 国防科技预研基金(批准号:8173)资助的课题.

摘要: 针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

English Abstract

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