[1] |
王甫, 周毅, 高士鑫, 段振刚, 孙志鹏, 汪俊, 邹宇, 付宝勤. 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究. 物理学报,
2022, 71(3): 036501.
doi: 10.7498/aps.71.20211434
|
[2] |
王甫, 周毅, 高士鑫, 段振刚, 孙志鹏, 汪俊(Jun Wang), 邹 宇, 付宝勤(Baoqin Fu). 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究. 物理学报,
2021, (): .
doi: 10.7498/aps.70.20211434
|
[3] |
张鸿, 郭红霞, 潘霄宇, 雷志峰, 张凤祁, 顾朝桥, 柳奕天, 琚安安, 欧阳晓平. 重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失. 物理学报,
2021, 70(16): 162401.
doi: 10.7498/aps.70.20210503
|
[4] |
鲁媛媛, 鹿桂花, 周恒为, 黄以能. 锂辉石/碳化硅复相陶瓷材料的制备与性能. 物理学报,
2020, 69(11): 117701.
doi: 10.7498/aps.69.20200232
|
[5] |
李媛媛, 喻寅, 孟川民, 张陆, 王涛, 李永强, 贺红亮, 贺端威. 金刚石-碳化硅超硬复合材料的冲击强度. 物理学报,
2019, 68(15): 158101.
doi: 10.7498/aps.68.20190350
|
[6] |
申帅帅, 贺朝会, 李永宏. 质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失. 物理学报,
2018, 67(18): 182401.
doi: 10.7498/aps.67.20181095
|
[7] |
李思佳, 曹祥玉, 高军, 郑秋容, 杨群, 张昭, 张焕梅. 高Q值超薄完美吸波体设计方法研究. 物理学报,
2013, 62(24): 244101.
doi: 10.7498/aps.62.244101
|
[8] |
陈顺生, 杨昌平, 肖海波, 徐玲芳, 马厂. Nd1-xSrxMnO3中掺杂浓度对电脉冲诱导电阻转变效应的影响. 物理学报,
2012, 61(14): 147301.
doi: 10.7498/aps.61.147301
|
[9] |
房超, 刘马林. 包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究. 物理学报,
2012, 61(9): 097802.
doi: 10.7498/aps.61.097802
|
[10] |
周耐根, 洪涛, 周浪. MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为. 物理学报,
2012, 61(2): 028101.
doi: 10.7498/aps.61.028101
|
[11] |
宋坤, 柴常春, 杨银堂, 贾护军, 陈斌, 马振洋. 改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响. 物理学报,
2012, 61(17): 177201.
doi: 10.7498/aps.61.177201
|
[12] |
张林, 韩超, 马永吉, 张义门, 张玉明. Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应. 物理学报,
2009, 58(4): 2737-2741.
doi: 10.7498/aps.58.2737
|
[13] |
刘福, 周继承, 谭晓超. 3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究. 物理学报,
2009, 58(11): 7821-7825.
doi: 10.7498/aps.58.7821
|
[14] |
韩 茹, 杨银堂, 柴常春. n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究. 物理学报,
2008, 57(5): 3182-3187.
doi: 10.7498/aps.57.3182
|
[15] |
林 涛, 陈治明, 李 佳, 李连碧, 李青民, 蒲红斌. 6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究. 物理学报,
2008, 57(9): 6007-6012.
doi: 10.7498/aps.57.6007
|
[16] |
徐彭寿, 李拥华, 潘海斌. β-SiC(001)-(2×1)表面结构的第一性原理研究. 物理学报,
2005, 54(12): 5824-5829.
doi: 10.7498/aps.54.5824
|
[17] |
于 威, 何 杰, 孙运涛, 朱海丰, 韩 理, 傅广生. 碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究. 物理学报,
2004, 53(6): 1930-1934.
doi: 10.7498/aps.53.1930
|
[18] |
汤晓燕, 张义门, 张鹤鸣, 张玉明, 戴显英, 胡辉勇. 碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试. 物理学报,
2004, 53(9): 3225-3228.
doi: 10.7498/aps.53.3225
|
[19] |
杨林安, 张义门, 于春利, 张玉明. SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型. 物理学报,
2003, 52(2): 302-306.
doi: 10.7498/aps.52.302
|
[20] |
王剑屏, 郝跃, 彭军, 朱作云, 张永华. 蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究. 物理学报,
2002, 51(8): 1793-1797.
doi: 10.7498/aps.51.1793
|