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复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计研究

刘成 李明 文章 顾钊源 杨明超 刘卫华 韩传余 张勇 耿莉 郝跃

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复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计研究

刘成, 李明, 文章, 顾钊源, 杨明超, 刘卫华, 韩传余, 张勇, 耿莉, 郝跃

Composite device model and quasi-vertical GaN SBD with stepped field plate achieving BFOM of 73.81MW/cm2

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出版历程
  • 收稿日期:  2021-10-15
  • 上网日期:  2021-11-24

复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计研究

  • 1. 西安交通大学微电子学院
  • 2. 西安交通大学
  • 3. 西安电子科技大学微电子学院
    基金项目: 国家级-国家重点基础研究发展计划(2017YFB0404102)

摘要: 准垂直 GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注。但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计。本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直 GaN SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合。基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直 GaN SBD。根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直 GaN SBD的BFOM达到73.81MW/cm2。

English Abstract

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