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窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

吴良津 刘坤 褚君浩

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窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

吴良津, 刘坤, 褚君浩

MEASUREMENT OF RESONANT DEFECT STATES IN NARROW GAP SEMICONDUCTORS

WU LIANG-JIN, LIU KUN, CHU JUN-HAO
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-07-24
  • 修回日期:  1996-09-08
  • 刊出日期:  1997-05-20

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

  • 1. (1)福州大学电子科学与应用物理系; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

摘要: 运用量子电容谱测量技术,在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态.根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性

English Abstract

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